Semiconductor Physics: verschil tussen versies
Naar navigatie springen
Naar zoeken springen
Nieuwe pagina aangemaakt met '==Informatie over het vak== Het vak wordt onderwezen in de eerste trimester door prof. V. Afanasiev. Het examen is gesloten boek. ==Examenvragen== ===12 januari...' |
|||
| Regel 9: | Regel 9: | ||
1. Leg uit waarom binding energy van Donor (of acceptor afhankelijk van welk examen je kreeg) level zoveel kleiner is dan bandgap energy. Vergelijk met Hydrogen atom model en leg uit waar de verschillen zitten | 1. Leg uit waarom binding energy van Donor (of acceptor afhankelijk van welk examen je kreeg) level zoveel kleiner is dan bandgap energy. Vergelijk met Hydrogen atom model en leg uit waar de verschillen zitten | ||
2. PN-junction. a) bij V=0 teken de curves met carrier concentration, charge density, potential, electric field en geef uitleg. | 2. PN-junction. a) bij V=0 teken de curves met carrier concentration, charge density, potential, electric field en geef uitleg. | ||
b) Doe hetzelfde bij Forward bias (of Reverse bias afhankelijk van welk examen je had) | b) Doe hetzelfde bij Forward bias (of Reverse bias afhankelijk van welk examen je had) | ||
Versie van 19 jan 2021 13:26
Informatie over het vak
Het vak wordt onderwezen in de eerste trimester door prof. V. Afanasiev. Het examen is gesloten boek.
Examenvragen
12 januari 2021
1. Leg uit waarom binding energy van Donor (of acceptor afhankelijk van welk examen je kreeg) level zoveel kleiner is dan bandgap energy. Vergelijk met Hydrogen atom model en leg uit waar de verschillen zitten
2. PN-junction. a) bij V=0 teken de curves met carrier concentration, charge density, potential, electric field en geef uitleg.
b) Doe hetzelfde bij Forward bias (of Reverse bias afhankelijk van welk examen je had)
3. Leg uit de exciton absorptie en wat er verandert bij temperatuurvariaties (en hoe dat komt).